Framleiðandi Vöru númer:
STD2HNK60Z-1
Product Overview
Framleiðandi:
STMicroelectronics
Völu númer:
STD2HNK60Z-1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Birgðir:
3054 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12878482
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
STD2HNK60Z-1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
STMicroelectronics
Pakkning
Tube
Röð
SuperMESH™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251 (IPAK)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
STD2HNK60
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
497-12783-5
STD2HNK60Z1
STD2HNK60Z-1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
STWA68N60M6
MOSFET N-CH 600V 63A TO247
STW45NM50FD
MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
STB78NF55-08
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
