Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SPP12N50C3HKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP12N50C3HKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 560 V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
RFQ á netinu
12807493
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
R
l
i
x
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP12N50C3HKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
560 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP12N
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SPP12N50C3IN-NDR
SPP12N50C3XTIN-DG
SPP12N50C3IN
SPP12N50C3XK
SPP12N50C3XTIN
SPP12N50C3X
SPP12N50C3IN-DG
SP000014459
SPP12N50C3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF830APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5605
HLUTARNÁMR
IRF830APBF-DG
Einingaverð
0.59
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCPF11N60
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
461
HLUTARNÁMR
FCPF11N60-DG
Einingaverð
1.58
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP16N65M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
STP16N65M2-DG
Einingaverð
1.01
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP11NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
645
HLUTARNÁMR
STP11NM50N-DG
Einingaverð
1.06
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRFBC30APBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1483
HLUTARNÁMR
IRFBC30APBF-DG
Einingaverð
1.19
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
SIPC46N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRLH5034TR2PBF
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3