Framleiðandi Vöru númer:
FCPF11N60
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FCPF11N60-DG
Lýsing:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Birgðir:
461 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946176
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCPF11N60 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
SuperFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
36W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
175
Önnur nöfn
2156-FCPF11N60
ONSFSCFCPF11N60
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
2SK3615-E
2SK3615 - N-CHANNEL SILICON MOSF
FCP380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
FDS6294
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
