Framleiðandi Vöru númer:
SPP10N10
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP10N10-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12806489
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP10N10 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 21µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
426 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
50W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP10N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF540ZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
41160
HLUTARNÁMR
IRF540ZPBF-DG
Einingaverð
0.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IRL530PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
10171
HLUTARNÁMR
IRL530PBF-DG
Einingaverð
0.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
