Framleiðandi Vöru númer:
SPP06N60C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP06N60C3XKSA1-DG
Lýsing:
LOW POWER_LEGACY
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12863090
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP06N60C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 260µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP06N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000681028
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP10NK60Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
905
HLUTARNÁMR
STP10NK60Z-DG
Einingaverð
1.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SPP17N80C3XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1700
HLUTARNÁMR
SPP17N80C3XKSA1-DG
Einingaverð
2.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP4N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
232
HLUTARNÁMR
IXTP4N65X2-DG
Einingaverð
1.12
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP10N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTP10N60P-DG
Einingaverð
2.26
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
3N163
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
IPP60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3
RJK1055DPB-00#J5
MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
