Framleiðandi Vöru númer:
SPP17N80C3XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP17N80C3XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
1700 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12807573
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP17N80C3XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2320 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP17N80
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3IN
SP000683164
SPP17N80C3XK
SP000013354
SPP17N80C3X
SPP17N80C3IN-DG
SPP17N80C3
SPP17N80C3IN-NDR
SPP17N80C3XTIN-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLR7807ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
IRF7220TRPBF
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
