Framleiðandi Vöru númer:
SPI20N60CFDHKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPI20N60CFDHKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Birgðir:
12808063
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPI20N60CFDHKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3-1
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
SPI20N
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000229995
SPI20N60CFD-DG
SP000681008
SPI20N60CFD
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STI33N65M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
9000
HLUTARNÁMR
STI33N65M2-DG
Einingaverð
1.70
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPI47N10
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
SPP18P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
SPP21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
