Framleiðandi Vöru númer:
SPP18P06PHXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPP18P06PHXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
711 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12808072
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPP18P06PHXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
81.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SPP18P06
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SPP18P06P G-DG
IFEINFSPP18P06PHXKSA1
SPP18P06P H
SPP18P06PH
2156-SPP18P06PHXKSA1
SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P H-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPP21N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
SPU11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3