Framleiðandi Vöru númer:
SPB08P06PGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPB08P06PGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
12807872
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
jvWl
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPB08P06PGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
420 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SPB08P
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SPB08P06PGATMA1CT
SPB08P06PGINDKR-DG
SPB08P06PGINCT
SPB08P06PGINCT-DG
IFEINFSPB08P06PGATMA1
2156-SPB08P06PGATMA1
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGATMA1TR
SPB08P06PGXT
SPB08P06PGINTR-DG
SP000102179
SPB08P06P G-DG
SPB08P06P G
SPB08P06PGATMA1DKR
SPB08P06PGINDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPB80P06PGATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
41
HLUTARNÁMR
SPB80P06PGATMA1-DG
Einingaverð
1.96
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
TN0610N3-G-P003
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
IRLR7833
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK