Framleiðandi Vöru númer:
SPB80P06PGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
SPB80P06PGATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Birgðir:
41 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12806151
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SPB80P06PGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
340W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3-2
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SPB80P06
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP000096088
SPB80P06P G-DG
SPB80P06PGATMA1CT
SPB80P06PGXT
SPB80P06PGINDKR-DG
SPB80P06PGINCT
SPB80P06P G
SPB80P06PG
SPB80P06PGINDKR
SPB80P06PGATMA1DKR
SPB80P06PGATMA1TR
SPB80P06PGINDKRINACTIVE
SPB80P06PGINCT-DG
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGINTR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
