ISC0805NLSATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

ISC0805NLSATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

ISC0805NLSATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 71A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-46

Birgðir:

2594 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12993099
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

ISC0805NLSATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™ 5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 71A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 40µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2200 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TDSON-8-46
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
ISC0805N

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
448-ISC0805NLSATMA1TR
448-ISC0805NLSATMA1DKR
448-ISC0805NLSATMA1CT
SP005430376

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
global-power-technologies-group

GCMS040B120S1-E1

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

vishay-siliconix

SIHP15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

vishay-siliconix

SQJ174EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)