GCMS040B120S1-E1
Framleiðandi Vöru númer:

GCMS040B120S1-E1

Product Overview

Framleiðandi:

SemiQ

Völu númer:

GCMS040B120S1-E1-DG

Lýsing:

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 242W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Birgðir:

65 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12993113
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

GCMS040B120S1-E1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
SemiQ
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
124 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3110 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
242W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SOT-227
Pakki / hulstur
SOT-227-4, miniBLOC
Grunnvörunúmer
GCMS040

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
10
Önnur nöfn
1560-GCMS040B120S1-E1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHP15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

vishay-siliconix

SQJ174EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

vishay-siliconix

SIHB5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-