IRFSL3006PBF
Framleiðandi Vöru númer:

IRFSL3006PBF

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRFSL3006PBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262

Birgðir:

1000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12823457
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IRFSL3006PBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8970 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IRFSL3006

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001573396
IRFSL3006PBF-DG
448-IRFSL3006PBF

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRF6633TRPBF

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

nxp-semiconductors

BS108,126

MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

infineon-technologies

IRF7779L2TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET