Framleiðandi Vöru númer:
BS108,126
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
BS108,126-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Birgðir:
12823460
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BS108,126 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 1mA
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
120 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-92-3
Pakki / hulstur
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Grunnvörunúmer
BS10
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
BS108 AMO-DG
934003840126
BS108 AMO
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7779L2TR1PBF
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
IXTA160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO263
IRLIZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
