Framleiðandi Vöru númer:
IRFI9530N
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFI9530N-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220AB FP
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 100 V 7.7A (Ta) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Birgðir:
12803747
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFI9530N Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Ta)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB Full-Pak
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFI9530GPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3746
HLUTARNÁMR
IRFI9530GPBF-DG
Einingaverð
0.87
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
