Framleiðandi Vöru númer:
IPS65R1K0CEAKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPS65R1K0CEAKMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Birgðir:
12803749
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPS65R1K0CEAKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
37W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251
Pakki / hulstur
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Grunnvörunúmer
IPS65R
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
2156-IPS65R1K0CEAKMA1-IT
IFEINFIPS65R1K0CEAKMA1
SP001276048
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STU7NM60N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
650
HLUTARNÁMR
STU7NM60N-DG
Einingaverð
0.92
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD90N03S4L02ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPB80N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK