Framleiðandi Vöru númer:
IPD180N10N3GATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD180N10N3GATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
6973 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803753
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD180N10N3GATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1800 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD180
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD180N10N3GATMA1TR
IPD180N10N3GATMA1-DG
SP000900132
IPD180N10N3GATMA1DKR
IPD180N10N3GATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPL60R210P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
