Framleiðandi Vöru númer:
IPB180N10S403ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB180N10S403ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Birgðir:
1155 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803755
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB180N10S403ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10120 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-7-3
Pakki / hulstur
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Grunnvörunúmer
IPB180
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
448-IPB180N10S403ATMA1TR
IPB180N10S403ATMA1-DG
SP000915592
448-IPB180N10S403ATMA1CT
2156-IPB180N10S403ATMA1
448-IPB180N10S403ATMA1DKR
INFINFIPB180N10S403ATMA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IAUA180N10S5N029AUMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1936
HLUTARNÁMR
IAUA180N10S5N029AUMA1-DG
Einingaverð
1.62
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
IRF7534D1TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
