Framleiðandi Vöru númer:
IRFB3206PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFB3206PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
25755 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12852466
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFB3206PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6540 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRFB3206
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP001566480
448-IRFB3206PBF
64-0088PBF-DG
IRFB3206PBF-DG
64-0088PBF
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSP316PE6327
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
IRFSL31N20D
MOSFET N-CH 200V 31A TO262
MMFT2955ET1G
MOSFET POWER 1A 60V SOT-223
