BSP316PE6327
Framleiðandi Vöru númer:

BSP316PE6327

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

BSP316PE6327-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Birgðir:

12852487
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BSP316PE6327 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
680mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 170µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
146 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP316PE6327INCT
BSP316PE6327INTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IRFL9110TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
69054
HLUTARNÁMR
IRFL9110TRPBF-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BSP316PH6327XTSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
32779
HLUTARNÁMR
BSP316PH6327XTSA1-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IRFSL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A TO262

onsemi

MMFT2955ET1G

MOSFET POWER 1A 60V SOT-223

infineon-technologies

IPW50R250CPFKSA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3

onsemi

MCH6351-TL-W

MOSFET P-CH 12V 9A 6MCPH