Framleiðandi Vöru númer:
IRF7842TR
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF7842TR-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
12806050
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF7842TR Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4500 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF7842TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
13970
HLUTARNÁMR
IRF7842TRPBF-DG
Einingaverð
0.68
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
SI4456DY-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
2500
HLUTARNÁMR
SI4456DY-T1-E3-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRL2703SPBF
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRF200P223
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
IPL60R065C7AUMA1
MOSFET HIGH POWER_NEW