Framleiðandi Vöru númer:
IRF200P223
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF200P223-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
1900 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12806052
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF200P223 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
StrongIRFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5094 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
313W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IRF200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
SP001582440
IRF200P223-DG
2156-IRF200P223
448-IRF200P223
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPL60R065C7AUMA1
MOSFET HIGH POWER_NEW
IRF3711STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IRLZ44ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A TO262
