Framleiðandi Vöru númer:
IRF7406GTRPBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF7406GTRPBF-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
13064120
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF7406GTRPBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
SP001563604
IRF7406GTRPBFCT
IRF7406GTRPBFTR
IRF7406GTRPBFDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI4485DY-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1860
HLUTARNÁMR
SI4485DY-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
SI9435BDY-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
13307
HLUTARNÁMR
SI9435BDY-T1-E3-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
