IRF6636

Framleiðandi Vöru númer:

IRF6636

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF6636-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Birgðir:

RFQ á netinu

12803798

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF6636 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

18A (Ta), 81A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

27 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2420 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Hitastig rekstrar

-40°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

DIRECTFET™ ST

Pakki / hulstur

DirectFET™ Isometric ST

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

4,800

Önnur nöfn

IRF6636TR

IRF6636CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

3 (168 Hours)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPD60R600E6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

infineon-technologies

IPB180N10S402ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IRF3808PBF

MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

infineon-technologies

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3