Framleiðandi Vöru númer:
IRF3808PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF3808PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
767 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803802
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF3808PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
75 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
140A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5310 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IRF3808
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
*IRF3808PBF
SP001563250
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
IRFU4105
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
IRFR7746TRPBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK