Framleiðandi Vöru númer:
IRF6608
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6608-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Birgðir:
12804308
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6608 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2120 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ ST
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric ST
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,800
Önnur nöfn
*IRF6608
IRF6608CT
IRF6608TR
SP001524584
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR9N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
IRFS7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
IRF1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
