Framleiðandi Vöru númer:

IRF1902TRPBF

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF1902TRPBF-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Birgðir:

RFQ á netinu

12804312

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF1902TRPBF Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±12V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

310 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.5W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-SO

Pakki / hulstur

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

IRF1902TRPBF-DG

Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki

4,000

Önnur nöfn

IRF1902TRPBF-DG

IRF1902TRPBFTR

SP001564704

IRF1902TRPBFCT

IRF1902TRPBFDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IRF5210L

MOSFET P-CH 100V 40A TO262

infineon-technologies

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

infineon-technologies

IPW80R290C3AFKSA1

MOSFET N-CH 800V TO247

infineon-technologies

IRF9Z34NL

MOSFET P-CH 55V 19A TO262