Framleiðandi Vöru númer:
IRF6604TR1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6604TR1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
Birgðir:
12804023
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6604TR1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 7V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 12A, 7V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2270 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MQ
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MQ
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SP001525412
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
