Framleiðandi Vöru númer:
IRF6603
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF6603-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Birgðir:
12804028
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF6603 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Ta), 92A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
+20V, -12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6590 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DIRECTFET™ MT
Pakki / hulstur
DirectFET™ Isometric MT
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,800
Önnur nöfn
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
PSMN3R5-30YL,115
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
7138
HLUTARNÁMR
PSMN3R5-30YL,115-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
IPP60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
