Framleiðandi Vöru númer:

IQD020N10NM5CGATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IQD020N10NM5CGATMA1-DG

Lýsing:

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02

Birgðir:

5000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12943335

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IQD020N10NM5CGATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

OptiMOS™ 5

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

26A (Ta), 273A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

2.05mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 159µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

134 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

9500 pF @ 50 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3W (Ta), 333W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PG-TTFN-9-U02

Pakki / hulstur

9-PowerTDFN

Grunnvörunúmer

IQD020

Aukainformation

Venjulegur pakki

5,000

Önnur nöfn

448-IQD020N10NM5CGATMA1CT

448-IQD020N10NM5CGATMA1TR

448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

IQDH45N04LM6CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQDH35N03LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD009N06NM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

IQD005N04NM6CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR