Framleiðandi Vöru númer:
IQDH35N03LM5CGATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IQDH35N03LM5CGATMA1-DG
Lýsing:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Birgðir:
4968 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12943340
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IQDH35N03LM5CGATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™ 5
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
66A (Ta), 700A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.35mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1.46mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
18000 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TTFN-9-U02
Pakki / hulstur
9-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
IQDH35
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
5,000
Önnur nöfn
448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR
448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR
448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IQD009N06NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD005N04NM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
