Framleiðandi Vöru númer:
IPU60R1K0CEAKMA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPU60R1K0CEAKMA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 4.3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Birgðir:
12813495
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPU60R1K0CEAKMA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CE
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
61W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO251-3
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IPU60R1
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,500
Önnur nöfn
INFINFIPU60R1K0CEAKMA2
SP001396378
2156-IPU60R1K0CEAKMA2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPU80R900P7AKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1500
HLUTARNÁMR
IPU80R900P7AKMA1-DG
Einingaverð
0.47
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
TPS1100DR
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
IRF6716MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
