Framleiðandi Vöru númer:
IRFS4115PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFS4115PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
12813580
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFS4115PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
195A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
64-2135PBF
64-2135PBF-DG
SP001565010
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDB2532
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
3812
HLUTARNÁMR
FDB2532-DG
Einingaverð
1.94
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPB50N10S3L16ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPB50N10S3L16ATMA1-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRF540NSPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
IRF7470TR
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
