Framleiðandi Vöru númer:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPQC65R017CFD7XTMA1-DG
Lýsing:
HIGH POWER_NEW
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22
Birgðir:
13373442
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPQC65R017CFD7XTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
136A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3.08mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
12338 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
694W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HDSOP-22
Pakki / hulstur
22-PowerBSOP Module
Grunnvörunúmer
IPDQ65
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
750
Önnur nöfn
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPQC65R017CFD7AXTMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
Einingaverð
13.09
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IPDQ65R017CFD7XTMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Einingaverð
13.19
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
SIRS4302DP-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
TSM60NB380CH
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW