CC-C2-B15-0322
Framleiðandi Vöru númer:

CC-C2-B15-0322

Product Overview

Framleiðandi:

CoolCAD

Völu númer:

CC-C2-B15-0322-DG

Lýsing:

SiC Power MOSFET 1200V 12A
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 12A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-247

Birgðir:

30 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13373452
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

CC-C2-B15-0322 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Umbúðir
Bulk
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Vgs (hámark)
+15V, -5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1810 pF @ 200 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-4

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
5
Önnur nöfn
3892-CC-C2-B15-0322

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay

SIRS4302DP-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM60NB380CH

600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH

600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay

SI4190BDY-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-