Framleiðandi Vöru númer:
IPP80N06S2L05AKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP80N06S2L05AKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12805259
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP80N06S2L05AKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP80N
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPP80N06S2L-05
INFINFIPP80N06S2L05AKSA1
SP000219000
2156-IPP80N06S2L05AKSA1-IT
IPP80N06S2L-05-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDP047AN08A0
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1868
HLUTARNÁMR
FDP047AN08A0-DG
Einingaverð
1.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPP100N06S2L05AKSA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
498
HLUTARNÁMR
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
Einingaverð
1.72
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
FDP050AN06A0
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
6627
HLUTARNÁMR
FDP050AN06A0-DG
Einingaverð
1.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB4610
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
IRF7807VD1PBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPA65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
