Framleiðandi Vöru númer:
IRF7807VD1PBF
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRF7807VD1PBF-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Birgðir:
12805261
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRF7807VD1PBF Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
FETKY™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Isolated)
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SO
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
95
Önnur nöfn
SP001551528
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPA65R110CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
IRFR7746PBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
IPP120N10S403AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
