Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPP65R110CFDXKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
476 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804151
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP65R110CFDXKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP65R110
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Gagnaplakks
IPP65R110CFDXKSA2
Gagnablöð
IPx65R110CFD
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
448-IPP65R110CFDXKSA2
SP001987346
IPP65R110CFDXKSA2-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCP099N60E
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
390
HLUTARNÁMR
FCP099N60E-DG
Einingaverð
2.76
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP34NM60ND
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
969
HLUTARNÁMR
STP34NM60ND-DG
Einingaverð
5.81
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPW65R110CFDFKSA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
208
HLUTARNÁMR
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Einingaverð
3.29
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
IRFR7446PBF
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
IRFR3504ZTRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3