Framleiðandi Vöru númer:
IPW65R110CFDFKSA2
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Birgðir:
208 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12804537
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPW65R110CFDFKSA2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ CFD2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO247-3-41
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
IPW65R110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262
IRFR9120NPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK