Framleiðandi Vöru númer:
IPP65R045C7XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP65R045C7XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
199 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13064048
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP65R045C7XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ C7
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.25mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4340 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP65R045
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SP000929422
IPP65R045C7XKSA1-ND
448-IPP65R045C7XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR4105Z
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPN65R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
IRFP4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC
