Framleiðandi Vöru númer:
IRFU120Z
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFU120Z-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Birgðir:
13064054
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFU120Z Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
HEXFET®
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
IPAK (TO-251AA)
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Hönnun auðlindir
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
*IRFU120Z
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFU120PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1045
HLUTARNÁMR
IRFU120PBF-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STU6NF10
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
STU6NF10-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
IRFH5215TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFN
IPZA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
