Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPP60R099P6XKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP60R099P6XKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12804170
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP60R099P6XKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™ P6
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
37.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3330 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP60R099
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPP60R099P6XKSA1-DG
Gagnaplakks
IPP60R099P6XKSA1
Gagnablöð
IPx60R099P6
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2156-IPP60R099P6XKSA1
SP001114650
IFEINFIPP60R099P6XKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPZ60R099P6FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
222
HLUTARNÁMR
IPZ60R099P6FKSA1-DG
Einingaverð
3.27
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
R6035VNX3C16
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
925
HLUTARNÁMR
R6035VNX3C16-DG
Einingaverð
3.19
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
R6027YNX3C16
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1000
HLUTARNÁMR
R6027YNX3C16-DG
Einingaverð
2.44
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO262