Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IPD200N15N3GBTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD200N15N3GBTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
RFQ á netinu
12804171
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD200N15N3GBTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD200N
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IPD200N15N3GBTMA1-DG
Gagnaplakks
IPD200N15N3GBTMA1
Gagnablöð
IPx200N15N3 G
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD200N15N3 GDKR
IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GTR-DG
IPD200N15N3G
IPD200N15N3GBTMA1TR
IPD200N15N3 GCT-DG
SP000386665
IPD200N15N3GBTMA1DKR
IPD200N15N3 G-DG
IPD200N15N3 GTR
IPD200N15N3 GDKR-DG
IPD200N15N3GBTMA1CT
IPD200N15N3 G
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD200N15N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
51180
HLUTARNÁMR
IPD200N15N3GATMA1-DG
Einingaverð
1.19
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
FDD86250
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1640
HLUTARNÁMR
FDD86250-DG
Einingaverð
0.90
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD30N06S215ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
IPP037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
IRF2907ZLPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO262
IPD036N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3