Framleiðandi Vöru númer:
IPP50R250CPXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP50R250CPXKSA1-DG
Lýsing:
LOW POWER_LEGACY
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
12803439
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP50R250CPXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
CoolMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 520µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1420 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP50R250
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SP000680936
IPP50R250CPXKSA1-DG
448-IPP50R250CPXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP20NM50
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
944
HLUTARNÁMR
STP20NM50-DG
Einingaverð
2.54
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP19NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
976
HLUTARNÁMR
STP19NM50N-DG
Einingaverð
1.75
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP460P2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
270
HLUTARNÁMR
IXTP460P2-DG
Einingaverð
3.30
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF520NS
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IPI80N06S3-05
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP80N03S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3