IRF520NS

Framleiðandi Vöru númer:

IRF520NS

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IRF520NS-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Birgðir:

RFQ á netinu

12803440

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IRF520NS Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Infineon Technologies

Pakkning

-

Röð

HEXFET®

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

9.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

330 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

D2PAK

Pakki / hulstur

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

50

Önnur nöfn

*IRF520NS

SP001559622

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPI80N06S3-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IPP80N03S4L04AKSA1

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPP65R110CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3

IPI60R165CPXKSA1

HIGH POWER_LEGACY