Framleiðandi Vöru númer:
IPP200N15N3GXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP200N15N3GXKSA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Birgðir:
10256 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803287
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP200N15N3GXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IPP200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
IPP200N15N3G
IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-DG
SP000680884
IPP200N15N3GXKSA1-DG
448-IPP200N15N3GXKSA1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
