Framleiðandi Vöru númer:
IPT60R080G7XTMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPT60R080G7XTMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Birgðir:
5465 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12803288
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPT60R080G7XTMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
CoolMOS™ G7
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1640 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
167W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-HSOF-8-2
Pakki / hulstur
8-PowerSFN
Grunnvörunúmer
IPT60R080
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
INFINFIPT60R080G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1DKR
IPT60R080G7XTMA1CT
IPT60R080G7XTMA1TR
2156-IPT60R080G7XTMA1
SP001615904
IPT60R080G7XTMA1-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7207PBF
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
IPD075N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31