Framleiðandi Vöru númer:
IPP029N06NXKSA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPP029N06NXKSA1-DG
Lýsing:
TRENCH 40<-<100V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Birgðir:
13269127
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPP029N06NXKSA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 75µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5125 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Ta), 136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
-
Hæfni
-
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-1
Pakki / hulstur
TO-220-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
448-IPP029N06NXKSA1
SP005573712
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI vottun
Tengdar vörur
ISC015N06NM5LF2ATMA1
TRENCH 40<-<100V
IRFB4110PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IAUCN04S7N006ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
