Framleiðandi Vöru númer:
DMN6041SVTQ-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN6041SVTQ-7-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 4.1A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSOT-26
Birgðir:
13269150
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN6041SVTQ-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1190 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TSOT-26
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
31-DMN6041SVTQ-7TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFB4228PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFP4332PBFXKMA1
TRENCH >=100V