Framleiðandi Vöru númer:
IRFB4228PBFXKMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IRFB4228PBFXKMA1-DG
Lýsing:
TRENCH >=100V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Birgðir:
13269154
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFB4228PBFXKMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
83A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4530 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
330W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
-
Hæfni
-
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO220-3-904
Pakki / hulstur
TO-220-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
448-IRFB4228PBFXKMA1
SP005738359
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
DIGI vottun
Tengdar vörur
IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IRFP4332PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IMW65R040M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET